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Método para el dopado selectivo de un semiconductor mediante transferencia inducida por láser

Tipus de propietat
Patent invenció
Número de sol·licitud
P201231065
Data de sol·licitud
2012-07-06
País
Espanya
Entitat titular
Universitat Politècnica de Catalunya i Universidad Politécnica de Madrid
Resum
Método para el dopado selectivo de un semiconductor mediante transferencia inducida por láser, que comprende un sistema precursor (200) compuesto de al menos una capa absorbente (202) a la radiación láser, con una solución dopante (203) y un soporte transparente (201) , el cual se coloca enfrentado y en contacto directo con el sistema receptor (300) donde se integra el substrato (301) semiconductor y se irradia con uno o más pulsos de un haz láser (100) focalizados en la interfaz entre la fuente y el substrato, provocando la transferencia de material proveniente de la fuente hacia el substrato y la introducción de átomos dopantes provenientes de la fuente dentro del substrato semiconductor. El sustrato (301) es, preferentemente, una oblea de silicio con una cara frontal (302) y una cara posterior (303) con capas pasivante antirreflejo dieléctricas.
Grup de recerca
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

Participants