Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Diagnosis of interconnect full open defects in the presence of gate leakage currents

Autor
Arumi, D.; Rodriguez-Montanes, R.; Figueras, J.; Eichenberger, S.; Hora, C.; Kruseman, B.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems
Data de publicació
2013-02
Volum
32
Número
2
Pàgina inicial
301
Pàgina final
312
DOI
https://doi.org/10.1109/TCAD.2012.2228269 Obrir en finestra nova
Paraules clau
CMOS integrated circuits, Capacitance, Defects, Diagnosis, Failure analysis, Gate dielectrics, Leakage currents
Grup de recerca
CRnE - Centre de Recerca en Ciència i Enginyeria Multiescala de Barcelona
QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat

Participants