Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Variability mitigation mechanisms in scaled 3T1D-DRAM memories to 22 nm and beyond

Autor
Amat, Esteve; Garcia, C.; Aymerich, N.; Canal, R.; Rubio, A.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
IEEE transactions on device and materials reliability
Data de publicació
2012-09-06
Volum
13
Número
1
Pàgina inicial
103
Pàgina final
109
DOI
https://doi.org/10.1109/TDMR.2012.2217497 Obrir en finestra nova
URL
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6296696 Obrir en finestra nova
Paraules clau
Dram, Temperature, Variability
Grup de recerca
HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions
VIRTUOS - Virtualisation and Operating Systems

Participants