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Procedimiento para la obtención del punto de intercepción de tercer orden en circuitos analógicos lineales integrados en un cristal semiconductor mediante la medición de temperatura

Tipus de propietat
Patent invenció
Número de sol·licitud
P201330902
Data de sol·licitud
2013-06-17
País
Espanya
País d'explotació
Espanya
Entitat titular
Universitat Politècnica de Catalunya
Resum
Procedimiento para la obtención del punto de intercepción de tercer orden en circuitos analógicos lineales integrados en un cristal semiconductor mediante la medición de temperatura.

La presente invención describe un procedimiento para la medida de la linealidad en circuitos analógicos lineales integrados en un cristal semiconductor, a través de la obtención del punto de intercepción de tercer orden mediante la medición de temperatura. La Fig. 1 muestra un cristal semiconductor (1) que puede contener diferentes circuitos analógicos y/o digitales (2, 3, 4, 5), siendo uno de ellos un circuito analógico lineal, en este caso un amplificador (2). El funcionamiento de dicho amplificador provoca una disipación de potencia y ésta un incremento de temperatura en la superficie del cristal semiconductor. Con una adecuada secuencia de estímulos, mediciones de ciertas componentes frecuenciales de dicha temperatura realizadas cerca del circuito amplificador (7), permiten obtener el punto de intercepción de tercer orden del amplificador, el cual es un parámetro usado para la cuantificación de la linealidad en sistemas tales como receptores, amplificadores o mezcladores. La medida de la temperatura puede hacerse bien mediante sensores de temperatura integrados en el mismo cristal semiconductor, bien mediante sensores externos.
Grup de recerca
HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions

Participants