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Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente

Autor
Perez, R.; Roman, M.; Velasco, G.
Tipus d'activitat
Presentació treball a congrés
Nom de l'edició
XXI Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation 2014
Any de l'edició
2014
Data de presentació
2014-06-26
Llibre d'actes
Proceedings of the XXI Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation
Pàgina inicial
1007-1
Pàgina final
1007-6
Editor
Universitat Rovira i Virgili
Repositori
http://hdl.handle.net/2117/26269 Obrir en finestra nova
URL
http://www.saaei.org/edicion14/ Obrir en finestra nova
Resum
En este artículo se analiza el comportamiento eléctrico y térmico de transistores PT-IGBT conectados en paralelo utilizando un control activo de reparto equilibrado de corriente. El estudio de la estructura interna y de las ecuaciones que describen el funcionamiento de un transistor IGBT muestra la capacidad de modificar el funcionamiento del transistor según la relación tensión-corriente colector-emisor (VCE-ICE) variando el valor de la tensión puerta-emisor (VGE). Finalmente se comparan...
Citació
Perez, R.; Roman, M.; Velasco, G. Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente. A: Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation. "Proceedings of the XXI Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation". Tangier: Universitat Rovira i Virgili, 2014, p. 1007-1-1007-6.
Grup de recerca
EPIC - Disseny de circuits analògics integrats i de convertidors de potencia conmutats
GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència
PERC-UPC - Centre de Recerca d'Electrònica de Potència UPC

Participants

Arxius