Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Oxidation of SiGeC strained layers grown on Si: kinetics and interface properties

Autor
Cuadras, A.; Garrido, B.; Bonafos, C.; Morante, J.R.; Fonseca, L.; Pressel, K.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
Microelectronics reliability
Data de publicació
2000-01
Volum
40
Pàgina inicial
829
Pàgina final
832
Grup de recerca
GRUP ISI - Grup d'Instrumentació, Sensors i Interfícies

Participants

  • Cuadras Tomas, Angel  (autor)
  • Garrido, B  (autor)
  • Bonafos, C  (autor)
  • Morante, Joan Ramon  (autor)
  • Fonseca, L  (autor)
  • Pressel, K  (autor)