Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Control of tunnel oxide thickness in Si-nanocrystal array memories obtained by ion implantation and its impact in writing speed and volatility

Autor
Gonzalez-Varona, O.; Garrido, B.; Cheylan, S.; Perez-Rodriguez, A.; Cuadras, A.; Morante, J.R.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
Applied physics letters
Data de publicació
2003-03
Volum
82
Número
13
Pàgina inicial
2151
Pàgina final
2153
Grup de recerca
GRUP ISI - Grup d'Instrumentació, Sensors i Interfícies

Participants

  • Gonzalez Varona, Olga  (autor)
  • Garrido, B  (autor)
  • Cheylan, Stephanie  (autor)
  • Perez Rodriguez, A  (autor)
  • Cuadras Tomas, Angel  (autor)
  • Morante, Joan Ramon  (autor)