Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Graphene p-doping using UV irradiation

Autor
Ferrer-Anglada, N.; Iqbal, M.; Eom, J.
Tipus d'activitat
Presentació treball a congrés
Nom de l'edició
XIII Congreso Nacional de Materiales
Any de l'edició
2014
Data de presentació
2014-06-19
Llibre d'actes
CNMAT 2014 - XIII Congreso Nacional de Materiales
Pàgina inicial
136
Pàgina final
136
Resum
Graphene has been recognized as an important material for electronic devices due to its unique electronic properties [1, 2]. However, the intrinsic zero band gap is a handicap for applications as a semiconducting material. Different methods to opening a gap in the electronic structure have been used, between them doping chemically or electrochemically. But often doping degrades the carrier mobility of grapheme [3, 4]. It is desirable to develop a way to tune the doping level without reducing th...
Paraules clau
P-doping, Graphene, Uv Irradiation
Grup de recerca
CEMAD - Caracterització Elèctrica de Materials i Dispositius

Participants