Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Lopez Gonzalez, Juan Miguel

Total activitats: 136
Àrees d'expertesa
Dispositius electrònics semiconductors
Titulació universitària
FISICA
Doctorat
CIENCIAS FÍSICAS
Titulació de postgrau
CIENCIA DE MATERIALES
Categoria professional
Titular d'universitat
Grup de recerca
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Departament
Departament d'Enginyeria Electrònica
Centre docent
Escola Tècnica Superior d'Enginyeria de Telecomunicació de Barcelona (ETSETB)
Correu electrònic
juan.lopez.gonzalezupc.edu
Dades de contacte
Directori de la UPC Obrir en finestra nova
Orcid
0000-0002-5718-5101 Obrir en finestra nova
ResearcherID
L-3833-2014 Obrir en finestra nova
Scopus Author ID
7006539658 Obrir en finestra nova
Completa les teves dades

Producció científica

1 a 50 de 136 resultats
 
  • Front contact optimization of industrial scale CIGS solar cells for low solar concentration using 2D physical modeling  Accés obert

     Delgado Sánchez, J.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Orpella, A.; Sánchez-Cortezón, E.; Alba, M.; López, C.; Alcubilla, R.
    Renewable energy
    Vol. 101, p. 90-95
    DOI: 10.1016/j.renene.2016.08.046
    Data de publicació: 2017-02-01
    Article en revista
    Accés al text complet
  • Células solares de heterounión de silicio de estructura no convencional.

     Ortega, P.; Voz, C.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Projecte R+D+I competitiu
  • DopLa solar cells with texturized front surface  Accés obert

     Martin, I.; Coll, A.; Lopez, G.; Ortega, P.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Alcubilla, R.
    International Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics
    p. 949-955
    DOI: 10.1016/j.egypro.2016.07.106
    Data de presentació: 2016-03-08
    Presentació treball a congrés
    Accés al text complet
  • Microscale characterization of surface recombination at the vicinity of laser-processed regions in c-Si solar cells  Accés obert

     Roige, A.; Osso, J.; Martin, I.; Voz, C.; Ortega, P.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Alcubilla, R.; Vega, L.
    IEEE journal of photovoltaics
    Vol. 6, num. 2, p. 426-431
    DOI: 10.1109/JPHOTOV.2016.2514710
    Data de publicació: 2016-03-01
    Article en revista
    Accés al text complet
  • Experimental determination of base resistance contribution for point-like contacted c-Si solar cells using impedance spectroscopy analysis  Accés obert

     Orpella, A.; Martin, I.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Ortega, P.; Voz, C.; Puigdollers, J.; Alcubilla, R.
    Solar energy materials and solar cells
    Vol. 141, p. 350-355
    DOI: 10.1016/j.solmat.2015.06.013
    Data de publicació: 2015-10
    Article en revista
    Accés al text complet
  • 3D TCAD modeling of laser processed c-Si solar cells

     Lopez-Gonzalez, Juan M.; Martin, I.; Ortega, P.; Orpella, A.; Alcubilla, R.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 7087448-1-7087448-4
    DOI: 10.1109/CDE.2015.7087448
    Data de presentació: 2015-02
    Presentació treball a congrés
  • Nuevos conceptos de celdas solares de bajo coste en configuración tándem

     Puigdollers, J.; Silvestre, S.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Projecte R+D+I competitiu
  • Numerical simulations of rear point-contacted solar cells on 2.2 Omega cm p-type c-Si substrates  Accés obert

     Lopez-Gonzalez, Juan M.; Martin, I.; Ortega, P.; Orpella, A.; Alcubilla, R.
    Progress in photovoltaics
    Vol. 2013, num. 1, p. 69-77
    DOI: 10.1002/pip.2399
    Data de publicació: 2015-01-01
    Article en revista
    Accés al text complet
  • Rear contact pattern optimization based on 3D simulations for IBC solar cells with point-like doped contacts

     Carrió, D.; Ortega, P.; Martin, I.; Lopez, G.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Orpella, A.; Voz, C.; Alcubilla, R.
    Energy procedia
    Vol. 55, p. 47-52
    DOI: 10.1016/j.egypro.2014.08.048
    Data de publicació: 2014-09
    Article en revista
  • Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies (MNT)

     Castañer, L.; Alcubilla, R.; Puigdollers, J.; Voz, C.; Rodriguez, A.; Martin, I.; Bardes, D.; Bermejo, S.; Calderer, J.; Dominguez, M.; Prat, L.; Garcies, P.; Jimenez, V.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Orpella, A.; Ortega, P.; Pons, J.; Silvestre, S.; Garin, M.; Colina, M.A.; Morales, A.; Coll, A.; Lopez, G.
    Projecte R+D+I competitiu
  • Células solares de silicio de alta eficiencia y bajo coste fabricadas a baja temperatura

     Ortega, P.; Voz, C.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Colina, M.A.; Gerling Sarabia, L.
    Projecte R+D+I competitiu
  • High efficiency rear contact solar cells and ultra-powerful modules

     Martin, I.; Alcubilla, R.; Ortega, P.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Colina, M.A.; Lopez, G.
    Projecte R+D+I competitiu
  • 3D simulations of back-contact back-junction c-Si(P) solar cells with doped point contacts

     Carrió, D.; Ortega, P.; López, G.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Martin, I.; Voz, C.; Alcubilla, R.
    European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
    p. 1607-1610
    DOI: 10.4229/28thEUPVSEC2013-2CV.3.44
    Data de presentació: 2013-10-02
    Presentació treball a congrés
  • DopLaCell: a new c-Si solar cell based on laser processing of dielectric films

     Martin, I.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Colina, M.A.; Orpella, A.; Alcubilla, R.
    European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
    p. 1311-1315
    DOI: 10.4229/28thEUPVSEC2013-2BV.2.30
    Data de presentació: 2013-10-01
    Presentació treball a congrés
  • Hydrodynamic device simulation of 200 GHz SiGe heterojunction bipolar transistors

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 1-4
    Data de presentació: 2011-02-08
    Presentació treball a congrés
  • Cristales fotónicos y manipulación de nanopartículas enfocados a su aplicación como sensores en el infrarojo

     Rodriguez, A.; Bermejo, S.; Bardes, D.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Vega, D.; Hernandez, D.; Di Virgilio, V.
    Projecte R+D+I competitiu
  • Analytical modelling of 200 GHz SiGe HBT high-frequency noise parameters

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Semiconductor science and technology
    DOI: 10.1088/0268-1242/25/10/105011
    Data de publicació: 2010-10-01
    Article en revista
  • Study of emitter width effects on BF, fT and fmax of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation

     Schröter, M.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Semiconductor science and technology
    Vol. 24, num. 11, p. 1-8
    DOI: 10.1088/0268-1242/24/11/115005
    Data de publicació: 2009-11
    Article en revista
  • DC and small-signal comparison of horizontal emitter designs of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    International journal of numerical modeling. Electronic networks devices and fields
    num. 22, p. 411-421
    Data de publicació: 2009-04-16
    Article en revista
  • Emitter geometry effects in 200 GHz SiGe heterojunction bipolar transistor

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 440-442
    Data de presentació: 2009-02-11
    Presentació treball a congrés
  • Emitter Length effects in SiGe and GaAs Heterojunction Bipolar Transistors

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio
    p. 1-4
    Presentació treball a congrés
  • Amplificador multibanda con bajo ruido en tecnología SiGe HBT

     Portilla, J.; Garmendia, N.; Casas, F.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio
    p. 1-4
    Presentació treball a congrés
  • Manipulación de micro-nano partículas en 2D y 3D

     Castañer, L.; Silvestre, S.; Rodriguez, A.; Bermejo, S.; Bardes, D.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Projecte R+D+I competitiu
  • Study of Emitter Scaling in 200 GHz Sige-HBT using TCAD Modeling

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    8th European HICUM Workshop
    p. 1-19
    Presentació treball a congrés
  • Numerical Modeling for Comparison of Emitter-Base Designs of InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    NSTI Nanotech - The Nanotechnology Conference and Trade Show
    p. 695-698
    Presentació treball a congrés
  • Emitter Pedestal Design og GaInP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 348-350
    Presentació treball a congrés
  • International journal of electronics

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Col·laboració en revista
  • TUNNEL EFFECT IN DC AND AC CHARACTERISTICS OF NEW InFaP/GaAs HBTs

     Martínez-Molina, A.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; García-Loureiro, J.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 1-4
    Presentació treball a congrés
  • NUMERICAL SIMULATION OF NEW InP/GaAsSb-DHBTs using ATLAS

     Ortuzar, L.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; García-Loureiro, J.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 1-3
    Presentació treball a congrés
  • IEEE Senior Member

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Premi o reconeixement
  • NOISE BIPOLAR MODELS FOR SiGe HBT

     Carlos, J.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; García-Loureiro, J.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 1-4
    Presentació treball a congrés
  • MODELLING OF NEW SiGeC HBTs

     Manuel, J.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; García-Loureiro, J.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 1-4
    Presentació treball a congrés
  • 3D PARALLEL SIMULATION OF InP/InGaAs HBT

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Spanish Conference on Electron Devices
    p. 1-4
    Presentació treball a congrés
  • Physics-based model for tunnel heterostructure bipolar transistors

     Lopez-Gonzalez, Juan M.; Garcia-Loureiro, A.
    Semiconductor science and technology
    Vol. 19, num. 11, p. 1300-1305
    Data de publicació: 2004-11
    Article en revista
  • Historia de Peñarrubia hasta el siglo XV

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Data de publicació: 2004-10
    Llibre
  • Electron quasi-Fermi level splitting at the base-emitter junction of HBTs and DHBTs

     Garcia-Loureiro, A.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Semiconductor science and technology
    Vol. 19, num. 3, p. 552-557
    Data de publicació: 2004-02
    Article en revista
  • BJT small signal parameters calculation using a parallel and three-dimensional simulator

     Garcia-Loureiro, A.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    TELEC'04 INTERNATIONAL CONFERENCE TELECOMMUNICATIONS, ELECTRONICS AND CONTROL
    p. 1-7
    Presentació treball a congrés
  • Minimum Noise figure Comparison of Y-parameter Based Bipolar Noise Models

     Carlos, J.; Sanchez-Lerma, M.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Garcia-Loureiro, A.
    Conference on Design of Circuits and Integrated Systems
    p. 1049-1053
    Presentació treball a congrés
  • Amplificador de Bajo Ruido (LNA) para 1.9 GHz, con 1.2 dB NF, 14.2 dB de Ganancia, basado en un SiGe HBT

     Sanchez-Lerma, M.; Carlos, J.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Garcia-Loureiro, A.
    Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio
    p. 154-157
    Presentació treball a congrés
  • A model for abrupt double heterojunction bipolar transistors

     Garcia-Loureiro, A.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    International journal of numerical modeling. Electronic networks devices and fields
    Vol. 17, num. 1, p. 29-42
    Data de publicació: 2004-01
    Article en revista
  • 3D Numerical Modeling of Continuity Equations for Abrupt HBTs at the Heterojunction Interface

     Garcia-Loureiro, A.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    International Conference on Computational and Experimental Engineering and Sciences
    p. 2029-2034
    Presentació treball a congrés
  • Monte Carlo modelling of abrupt InP/InGaAs HBTs

     Garcies, P.; Lopez-Gonzalez, Juan M.; Prat, L.
    International journal of numerical modeling. Electronic networks devices and fields
    Vol. 16, num. 4, p. 319-335
    Data de publicació: 2003-05
    Article en revista
  • IEEE transactions on electron devices

     Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Col·laboració en revista
  • Statistic 3D Simulations of Intrinsic Fluctuations in Nanoscaled PHEMTs

     Garcia-Loureiro, A.; Kalna, K.; Asenov, A.; Wilkins, R.; Lopez-Gonzalez, Juan M.
    Workshop on Modelling and Simulation of Electron Devices
    p. 45-48
    Presentació treball a congrés