Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

A novel EMI reduction design technique in IGBT gate driver for turnon switching mode

Autor
Ghorbani, H.; Sala, V.; Paredes, A.; Romeral, L.
Tipus d'activitat
Presentació treball a congrés
Nom de l'edició
18th European Conference on Power Electronics and Applications
Any de l'edició
2016
Data de presentació
2016-09-07
Llibre d'actes
EPE 2016: ECCE Europe, 18th European Conference on Power Electronics and Applications; Karlsruhe, Germany, 5-9 September, 2016
Pàgina inicial
1
Pàgina final
7
DOI
https://doi.org/10.1109/EPE.2016.7695436 Obrir en finestra nova
Projecte finançador
Tren motriz de alto rendimiento para el vehiculo electrico basado en las últimas tecnologías de motores sincronos y convertidores de potencia de carburo de silicio
URL
http://ieeexplore.ieee.org/document/7695436/ Obrir en finestra nova
Resum
This paper proposes a novel insulated gate bipolar transistor (IGBT) gate driver. The new gate driver (GD) has positive effect on the injected gate current to enhance the IGBT switching mechanism. The approach is based on the Posicast control method. The simple structure is the most important advantage of this feedforward controller. The main objective is to improve turn-on switching transients without harmful effect on the IGBT efficiency. The electromagnetic interface (EMI) reduction has been ...
Paraules clau
«insulated Gate Bipolar Transistor (igbt) » «active Gate Control (agc) » «posicast Controller» «electromagnetic Interface (emi) »
Grup de recerca
MCIA - Centre MCIA Innovation Electronics
PERC-UPC - Centre de Recerca d'Electrònica de Potència UPC

Participants