Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Simulación no líneal de transistores MESFET

Autor
Corbella, I.; Legido, J.; Naval, G.
Tipus d'activitat
Presentació treball a congrés
Nom de l'edició
VI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio
Any de l'edició
1991
Data de presentació
1991-09-24
Llibre d'actes
VI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 1991
Pàgina inicial
145
Pàgina final
149
Repositori
http://hdl.handle.net/2117/83835 Obrir en finestra nova
URL
http://ursi.usc.es/wp-content/uploads/articulos_antiguos_escaneados/Caceres_1991/sesion6A1.pdf Obrir en finestra nova
Resum
To design microwave transistor oscillators or power amplifiers a good non-linear characterization of the transistor is needed. This characterization can be obtained by measuring it on large signa! operation in a load-pull setup. This is a very time consuming method and dificult to implement, especially at millimeter wave frequencies, where good test fixtures are difficult to build. This paper describes a method to determine a non-linear model of MESFET transistors, based on experimental results....
Citació
Corbella, I. Simulación no líneal de transistores MESFET. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "VI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 1991". Caceres: 1991, p. 145-149.
Grup de recerca
RSLAB - Grup de Recerca en Teledetecció

Participants