Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

SiC Schottky diode electrothermal macromodel

Autor
Masana, F.
Tipus d'activitat
Presentació treball a congrés
Nom de l'edició
MIXDES
Any de l'edició
2010
Data de presentació
2010-06-24
Llibre d'actes
Proceedings of the 17th International Conference
Pàgina inicial
371
Pàgina final
374
Repositori
http://hdl.handle.net/2117/8687 Obrir en finestra nova
Resum
This paper presents a SiC Schottky diode model including static, dynamic and thermal features implemented as separate parameterized blocks constructed from SPICE Analog Behavioral Modeling (ABM) controlled sources. The parameters for each block are easy to extract, even from readily available diode data sheet information. The model complexity is low thus allowing reasonably long simulation times to cope with the rather slow self heating process and yet accurate enough for practical purposes.
Citació
Masana, F. SiC Schottky diode electrothermal macromodel. A: Mixed Design of Integrated Circuits and Systems. "MIXDES". Wroslaw: 2010, p. 371-374.
Grup de recerca
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

Participants

  • Masana Nadal, Francisco  (autor ponent)

Arxius