Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Analysis of conduction mechanisms in annealed n-Si1-xCx:H/p-crystalline Si heterojunction diodes for different doping concentrations

Autor
Marsal, L.; Pallares, J.; Correig, X.; Orpella, A.; Bardes, D.; Alcubilla, R.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
Journal of applied physics
Data de publicació
1999-01
Volum
85
Número
2
Pàgina inicial
1216
Pàgina final
1221
Grup de recerca
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

Participants