Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Influence of oxide breakdown position and device aspect ratio on MOSFET's output characteristics

Autor
Fernandez-Garcia, R.; Rodríguez, R.; Nafría, M.; Aymerich , X.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
Microelectronics reliability
Data de publicació
2005-01
Volum
45
Número
1
Pàgina inicial
861
Pàgina final
864
Grup de recerca
RFEMC - Grup de Radiofreqüència i Compatibilitat Electromagnètica en Xarxes de Comunicacions

Participants

  • Fernández García, Raúl  (autor)
  • Rodríguez Martínez, Rosana  (autor)
  • Nafría Maqueda, Montserrat  (autor)
  • Aymerich Humet, Xavier  (autor)