Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Gate Oxide Wear Out and Breakdown Effects on the Performance of Analog and Digital Circuits

Autor
Fernandez-Garcia, R.; Martin, J.; Rodríguez, R.; Nafría, M.; Aymerich , X.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
IEEE transactions on electron devices
Data de publicació
2008-04
Volum
55
Número
4
Pàgina inicial
997
Pàgina final
1004
Grup de recerca
RFEMC - Grup de Radiofreqüència i Compatibilitat Electromagnètica en Xarxes de Comunicacions

Participants

  • Fernández García, Raúl  (autor)
  • Martin Martínez, Javier  (autor)
  • Rodríguez Martínez, Rosana  (autor)
  • Nafría Maqueda, Montserrat  (autor)
  • Aymerich Humet, Xavier  (autor)