Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Current Consumption and Power Integrity of CMOS Digital Circuits Under NBTI Wearout

Autor
Ruiz, J.M.; Fernandez-Garcia, R.; Gil, I.; Morata, M.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
Journal of electronic testing. Theory and applications
Data de publicació
2012
Volum
28
Número
6
Pàgina inicial
865
Pàgina final
868
DOI
https://doi.org/10.1007/s10836-012-5337-9 Obrir en finestra nova
Projecte finançador
SGR2009-1425
TEC2010-18550
URL
http://download.springer.com/static/pdf/116/art%253A10.1007%252Fs10836-012-5337-9.pdf?auth66=1355392769_c82ef89950dbb532199634878a7564a4&ext=.pdf Obrir en finestra nova
Paraules clau
Electrical modeling, Electromagnetic compatibility, MOSFET, Simultaneous switching noise
Grup de recerca
RFEMC - Grup de Radiofreqüència i Compatibilitat Electromagnètica en Xarxes de Comunicacions

Participants