Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

Low recombination n+ regions created by n+ c-Si epitaxial layers and laser processing of phosphorus-doped SiCx films

Autor
Martin, I.; Colina, M.A.; Orpella, A.; Voz, C.; De Vecchi, S.; Desrues, T.; Abolmasov, S.; Roca, P.; Alcubilla, R.
Tipus d'activitat
Presentació treball a congrés
Nom de l'edició
27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
Any de l'edició
2012
Data de presentació
2012-09
Llibre d'actes
27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition: proceedings
Pàgina inicial
1519
Pàgina final
1523
Repositori
http://hdl.handle.net/2117/17662 Obrir en finestra nova
Citació
Martin, I. [et al.]. Low recombination n+ regions created by n+ c-Si epitaxial layers and laser processing of phosphorus-doped SiCx films. A: European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. "27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition: proceedings". Frankfurt: 2012, p. 1519-1523.
Grup de recerca
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies

Participants