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Estudio y simulación de MOSFETs de carburo de silicio (SiC) mediante PSIM para un inversor fotovoltaico en puente completo conectado a red

Autor
Chavarria, J.; Biel, D.; Guinjoan, F.; Poveda, A.; Alarcon, E.; Massana, F.
Tipus d'activitat
Presentació treball a congrés
Nom de l'edició
XX Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación
Any de l'edició
2013
Data de presentació
2013-07-11
Llibre d'actes
XX Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2013
Pàgina inicial
50
Pàgina final
50
URL
http://www.saaei.org/edicion13/archivos/Libro_de_Actas_SAAEI_2013.pdf Obrir en finestra nova
Resum
El presente artículo muestra, mediante simulación PSIM, el impacto de la utilización de MOSFETs de Carburo de Silicio (SiC) en la eficiencia de inversores fotovoltaicos en puente completo conectados a red. Las simulaciones presentadas utilizan la facilidad “Device Database Editor” para construir modelos de MOSFET tanto de Si como de SiC y comparan diversos parámetros como la eficiencia o el rizado de la corriente de salida. Estas simulaciones también permiten establecer un método de di...
Grup de recerca
ACES - Control Avançat de Sistemes d´Energia
EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits
PERC-UPC - Centre de Recerca d'Electrònica de Potència UPC

Participants