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Estudio y simulación de MOSFETs de carburo de silicio (SiC) mediante PSIM para un inversor fotovoltaico en puente completo conectado a red

Author
Chavarria, J.; Biel, D.; Guinjoan, F.; Poveda, A.; Alarcon, E.; Massana, F.
Type of activity
Presentation of work at congresses
Name of edition
XX Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación
Date of publication
2013
Presentation's date
2013-07-11
Book of congress proceedings
XX Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación 2013
First page
50
Last page
50
URL
http://www.saaei.org/edicion13/archivos/Libro_de_Actas_SAAEI_2013.pdf Open in new window
Abstract
El presente artículo muestra, mediante simulación PSIM, el impacto de la utilización de MOSFETs de Carburo de Silicio (SiC) en la eficiencia de inversores fotovoltaicos en puente completo conectados a red. Las simulaciones presentadas utilizan la facilidad “Device Database Editor” para construir modelos de MOSFET tanto de Si como de SiC y comparan diversos parámetros como la eficiencia o el rizado de la corriente de salida. Estas simulaciones también permiten establecer un método de di...
Group of research
ACES - Advanced Control of Energy Systems
EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits
PERC-UPC - Power Electronics Research Centre

Participants