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Regular Cell Design Approach Considering Lithography-Induced Process Variations

Author
Gomez, S.
Type of activity
Theses
Other related units
Department of Electronic Engineering
Defense's date
2014-10-17
Repository
http://hdl.handle.net/2117/95513 Open in new window
URL
http://hdl.handle.net/2117/95513 Open in new window
Abstract
Los continuos retrasos en la implementación de la EUVL, fuerzan que el diseño de IC se realice mediante litografía de longitud de onda de 193 nm con innovadoras y costosas técnicas para poder combatir variaciones de proceso de litografía. La gran diferencia entre la longitud de onda y el tamaño de los patrones causa severas distorsiones debido a la difracción óptica en los patrones impresos y por lo tanto degradando el yield. En consecuencia, es necesario realizar un cambio en el diseño...
Group of research
HIPICS - High Performance Integrated Circuits and Systems
Citation
Gómez Fernández, S. "Regular cell design approach considering lithography-induced process variations". Tesi doctoral, UPC, Departament d'Enginyeria Electrònica, 2014.

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