Carregant...
Carregant...

Vés al contingut (premeu Retorn)

A detailed Analysis and Electrical Modeling of Gate Oxide Shorts in MOS Transistors

Autor
Segura, J.; Benito, C.; Rubio, A.; Hawkins, C.
Tipus d'activitat
Article en revista
Revista
Journal of electronic testing. Theory and applications
Data de publicació
1996-11
Volum
8
Pàgina inicial
229
Pàgina final
239
Grup de recerca
HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions

Participants