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Procedimiento para la obtención de la frecuencia central en amplificadores sintonizados integrados en un cristal semiconductor mediante la medición de temperatura

Type of property
Invention patent
Number of request
P200601291
Date of request
2006-05-11
Country
Espanya
Owner organization
UPC
Abstract
Procedimiento para la obtención de la frecuencia central en amplificadores sintonizados integrados en un cristal semiconductor mediante la medición de temperatura.

La presente invención describe un procedimiento para la obtención de la frecuencia central en amplificadores sintonizados integrados en un cristal semiconductor mediante la medición de temperatura. La Fig. 1 muestra un cristal semiconductor (1) que puede contener diferentes circuitos analógicos i/o digitales (2, 3, 4, 5), siendo uno de ellos un amplificador sintonizado (2). El funcionamiento de dicho amplificador provoca una disipación de potencia y ésta un incremento de temperatura en la superficie del cristal semiconductor. Con una adecuada secuencia de estímulos mediciones de ciertas componentes frecuenciales de dicha temperatura realizadas cerca del circuito amplificador (7), permiten obtener la frecuencia central del amplificador, es decir, la frecuencia para que la ganancia del amplificador sea máxima. La medida de la temperatura puede hacerse bien mediante sensores de temperatura integrados en el mismo cristal semiconductor, bien mediante sensores externos.
Group of research
HIPICS - High Performance Integrated Circuits and Systems

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